1. 簡介
SKP技術(shù)的信號強度和提取敏感數(shù)據(jù)的能力依賴于很多因素。主要的影響因素是樣品和探針的功函數(shù)差、探針尖端尺寸、探針振幅、探針與樣品表面的距離。用戶可以假設(shè)M470（或M370）的環(huán)境噪聲和周圍環(huán)境一直保持不變，這樣，信號強度主要取決于上面提到的幾個參數(shù)。
任何測試都需要好的信噪比，即使是基于統(tǒng)計技術(shù)。在某些點，當噪聲超過信號，測量就變得不確定。為了避免這種情況，SKP470（或SKP370）用戶希望在所有實驗中信號強度最大化，就需要考慮上面參數(shù)的影響。
增強信噪比的一個方法是確保探針與樣品的距離很小，并在整個測量區(qū)域中保持恒定的距離。這就有必要獲取整個掃描區(qū)域的形貌信息，當探針掃描樣品時，命令探針按照樣品的形貌移動。有許多不同的技術(shù)都能提供樣品的形貌信息：
（1） 非觸式微區(qū)形貌測試系統(tǒng)（OSP）
（2） 間歇接觸掃描電化學顯微鏡（ic-SECM）
（3） 電容式高度測試技術(shù)（CHM，SKP）
（4） 電容式跟蹤測試技術(shù)（CTM，SKP）
本文主要介紹了M470（或M370）SKP技術(shù)中的CHM和CTM技術(shù)。
2. CHM和CTM形貌測量的原理
這兩種技術(shù)的原理都是測量探針尖端與樣品之間產(chǎn)生的電容。在探針與樣品之間施加一個電壓，優(yōu)于樣品和探針之間產(chǎn)生電容，一些電荷被儲存，關(guān)系式：
Q = CV (1)
式中，Q是電荷，C是電容，V是施加的電位。
電容C取決于系統(tǒng)的物理參數(shù)：
C = εr ε0 ( A / d ) (2)
式中，A為平行電容板的面積（探針面積）；d是電容板間的距離；εr和ε0是相對介電常數(shù)和真空介電常數(shù)。
如果探針按正弦波振動，距離d也按照正弦波振動，系統(tǒng)電容也隨之變化。
C(t) = εr ε0 ( A / d(t) ) (3)
式中，t為時間。
所以，存儲的電荷也隨電容的改變而改變：
Q(t) = C(t)V (4)
系統(tǒng)電荷改變，一定有電流，就是通過測量這個電流來確定探針與樣品的距離d。計算校準常數(shù)k，用于計算探針到樣品的距離：
I(t) = kd(t) (5)
在CHM技術(shù)中，連續(xù)掃描或者單步掃描實驗中的每個點上，探針保持固定的z軸位置。用校準提取探針與樣品的距離。
在CTM技術(shù)中，實驗開始時，距離d就被設(shè)置為一個期望的探針到樣品的距離。當探針到下一個位置，如果測量的探針到樣品的距離與期望值不同，探針高度就重新設(shè)定，直到達到理想值。測量探針高度位置的移動（用100nm光學編碼器），保存為形貌。實際上，在整個掃描過程中探針與樣品一直保持最初的距離。
兩種方法的優(yōu)缺點列于表1中。
表1 CHM和CTM技術(shù)的優(yōu)缺點
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CHM |
CTM |
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優(yōu)點 |
快；可以單步掃描，也可以連續(xù)掃描。 |
精確；整個區(qū)域掃描都是真實有效的；較大的測量范圍 |
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缺點 |
小距離準確，測量小范圍可用。 |
慢，只能用單步掃描；如果電位設(shè)置不準確，探針可能碰到樣品。 |
3. 用CHM解除形貌的影響
圖1和2分別為CHM和SKP面掃描結(jié)果，掃描24小時腐蝕實驗后的鍍鋅鋼樣品的表面磨痕處。磨痕和腐蝕都使樣品變形，任何SKP測試都需要解除形貌影響來獲得表面信息。
圖1 24小時腐蝕實驗后的鍍鋅鋼樣品的表面磨痕處的CHM形貌
圖1中CHM實驗結(jié)果為探針到樣品的距離，表明樣品左邊有一個約100μm深的圓形磨痕。磨痕的峰值在138μm處，此處探針到樣品的距離最遠。
圖2中SKP實驗結(jié)果是通過高度追蹤解除圖1中形貌的影響而提取的SKP數(shù)據(jù)。探針到樣品的距離保持40μm左右。用戶可以在沒有形貌干擾的情況下提取表面相對功函數(shù)測量信息。
圖2 24小時腐蝕實驗后的鍍鋅鋼樣品的表面磨痕處的SKP面掃描結(jié)果
（解除圖1形貌干擾）
如果表面形貌的差異超過CHM實際測量能力，那么可以選擇CTM技術(shù)在非常大的范圍內(nèi)獲得同樣的精確度，雖然速率稍慢。
4. 用CTM解除形貌的影響
圖3是一個輕微腐蝕的金屬模型，其形貌遠遠超出CHM技術(shù)的測量能力。采用CTM技術(shù)在36mm2區(qū)域內(nèi)每100μm記錄精確的形貌。圖4是CTM掃描結(jié)果，從邊緣到中心約700μm，其形貌差異使得標準SKP測試不可能實現(xiàn)。
圖3 開爾文探針非常接近（~200μm）彎曲金屬模型。
（實際CTM和SKP數(shù)據(jù)是在探針距離樣品約40μm的位置測量的。）
圖4 輕微腐蝕的金屬模型的CTM實驗結(jié)果
圖5是嘗試用標準SKP掃描圖4中的區(qū)域，沒有解除形貌的影響。很明顯，樣品的結(jié)構(gòu)影響測量：當探針遠離樣品時，儲存在探針-空氣-樣品界面的電荷是可以忽略的，導致放大的只是環(huán)境噪聲。實際上，探針在掃描中心區(qū)域是足夠靠近樣品的，這部分信息應該可以代表樣品表面特征。而在探針遠離樣品的區(qū)域測得的結(jié)果掩蓋了好的數(shù)據(jù)。
圖5 彎曲金屬模型表面不解除形貌干擾的SKP結(jié)果
為了對比，圖6是圖5相同區(qū)域解除形貌干擾后的SKP測量結(jié)果，唯一的差別是探針靠近樣品（平均約40μm），CTM數(shù)據(jù)用于在整個36mm2范圍內(nèi)確保探針保持這個距離?？梢钥闯?，這個方法成功消除了彎曲對SKP測試的影響。
圖6 同樣區(qū)域內(nèi)用CTM數(shù)據(jù)導入SKP高度追蹤掃描結(jié)果
5. 結(jié)論
M470（或M370）軟件中用高度追蹤設(shè)備可以獲得表面功函數(shù)的更精確的測定。通過解除形貌的影響而在掃描區(qū)域內(nèi)獲得最大信噪比。執(zhí)行高度追蹤的能力完全依賴于測量和使用高度數(shù)據(jù)的能力。
如上所示，可以用CHM和CTM技術(shù)獲得這些數(shù)據(jù)。CHM更快，但是只能用于形貌變化在100μm范圍內(nèi)的情況。對于形貌變化更大的情況，可以用較慢的CTM技術(shù)。
值得注意的是，也可以通過其他技術(shù)獲得形貌數(shù)據(jù)，比如非觸式微區(qū)形貌測試系統(tǒng)（OSP）或者掃描電化學顯微鏡（SECM）的恒流技術(shù)。一旦獲得形貌，就可以用來解除任何其他掃描探針實驗中形貌的影響。比如：SECM、SKP、SVP（SVET）、SDS。
